10月25日音讯，据华中科技大学官微音讯，近来，该校武汉光电国家研究中心团队，在国内首先霸占组成光刻胶所需的质料和配方，助推我国芯片制作要害原资料打破瓶颈。
据介绍，其研制的T150A光刻胶系列新产品，已通过半导体工艺量产验证，完成了原资料悉数国产，配方全自主规划，有望创始国内半导体光刻制作新局面。
揭露资料显现，光刻胶是一种感光资料，用于芯片制作的光刻环节，作业原理类似于照相机的胶卷曝光。芯片制作时，会在晶圆上涂上光刻胶，在掩膜版上制作好电路图。
当光线透过掩膜版照射到光刻胶上会产生曝光，通过一系列处理后，晶圆上就会得到所需的电路图。
因为光刻胶是芯片制作的要害资料，国外企业对其质料和配方高度保密，目前我国所运用的光刻胶九成以上依靠进口。
武汉光电国家研究中心团队研制的这款半导体专用光刻胶对标世界头部企业干流KrF光刻胶系列。
相较于国外同系列某产品，T150A在光刻工艺中体现出的极限分辨率到达120nm，且工艺宽容度更大、稳定性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺体现更好，通过验证发现T150A中密布图形通过刻蚀，基层介质的侧壁笔直度体现优异。
团队担任这个的人说：“以光刻技能的分子基础研究和原资料的开发为起点，终究取得具有自主知识产权的配方技能，这仅仅个开端。咱们团队还会开展一系列应用于不同场景下的KrF与ArF光刻胶，致力于打破国外卡脖子要害技能，为国内相关工业带来更多惊喜。”
